Metoda uwalniania struktury post-CMOS czuła na wiązkę poprzeczną dla hydrofonu wektorowego MEMS

Metoda uwalniania CMOS po strukturze wrażliwej na wiązkę poprzeczną dla hydrofonu wektorowego mem

zakres techniczny

1. Niniejszy wynalazek dotyczy dziedziny półprzewodników, w szczególności ochrony ścianek bocznych azotku krzemu i anizotropowych struktur krzemu wrażliwych na korozję, w szczególności sposobu uwalniania CMOS po strukturze wrażliwej na wiązkę poprzeczną zorientowaną na hydrofon wektora mems.

Technika tła:

2. Hydrofon wektorowy mems może wykrywać informacje wektorowe, takie jak prędkość drgań cząstek podwodnych, i może być stosowany do podwodnych platform detekcyjnych, takich jak systemy sonarowe, podwodne bezzałogowe łodzie podwodne i boje sonarowe zrzucane z powietrza, a jego wydajność zyskała dużą uwagę . Zintegrowany przez cmos hydrofon wektorowy mems może znacznie poprawić wydajność hydrofonu wektorowego i ma dobre perspektywy rozwoju.

3. Integracja post-CMOS w schemacie integracji cmos jest obecnie gorącym tematem badawczym. W tym schemacie, jak wykorzystać proces mems do zakończenia uwalniania struktury przy założeniu zgodności z cmos, jest ogromnym wyzwaniem. W tradycyjnym procesie mems fotolitografia służy do przeniesienia wzoru maski na płytkę krzemową, a dokładność fotolitografii w procesie mems często nie jest tak dobra jak w procesie cmos, a etapy fotolitografii zmniejszają wydajność produkcji i zwiększają koszty produkcji . Jest to również problem, który należy zbadać, aby zrealizować masową produkcję chipów.

4. Aby rozwiązać ten problem, w oparciu o czułą strukturę wektorowego hydrofonu mem, niniejszy wynalazek projektuje sposób uwalniania mem po cmos, który nie wymaga litografii i jest kompatybilny z cmos.

Skontaktuj się z nami:

Email: zhang@pride-cnc.com

Telefon: plus 86-755-23699351

Mob: plus 8618666663894